Ak vaša poloha nie je na zozname, vyberte jednu z nasledujúcich možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ak vaša poloha nie je na zozname, vyberte jednu z nasledujúcich možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domov
  2. Produkty
  3. Diskrétne polovodičové produkty
  4. Diódy - Usmerňovače - Single
  5. JAN1N5802US

Microsemi Corporation - JAN1N5802US

KEY Part #: K6426959

JAN1N5802US Ceny (USD) [7195ks skladom]

  • 1 pcs$5.72756
  • 100 pcs$5.14244
Číslo dielu:
JAN1N5802US
Výrobca:
Microsemi Corporation
Detailný popis:
DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A. ESD Suppressors / TVS Diodes DIODE 1A 50V TRR 25NS
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Diódy - RF, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, prednastave, Tranzistory - FET, MOSFETs - Single, Tranzistory - IGBT - Moduly, Diódy - usmerňovače, Tranzistory - programovateľné Unijunction, Tranzistory - špeciálny účel and Tranzistory - bipolárne (BJT) - RF ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5802US electronic components. JAN1N5802US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5802US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5802US Atribúty produktu

Číslo dielu : JAN1N5802US
Výrobca : Microsemi Corporation
popis : DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A
séria : Military, MIL-PRF-19500/477
Stav časti : Active
Typ diódy : Standard
Napätie - DC reverz (Vr) (Max) : 50V
Prúd - priemerný rektifikovaný (Io) : 2.5A
Napätie - dopredu (Vf) (Max) @ Ak : 975mV @ 2.5A
rýchlosť : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Čas spätného obnovenia (trr) : 25ns
Prúd - reverzný únik @ Vr : 1µA @ 50V
Kapacita @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz
Typ montáže : Surface Mount
Balík / Prípad : SQ-MELF, A
Dodávateľský balík zariadení : D-5A
Prevádzková teplota - križovatka : -65°C ~ 175°C

Najnovšie správy

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Môže vás tiež zaujímať
  • V20PWM45HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V20PW60-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 20A If(AV)

  • V35PWM10-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

  • V35PW15-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 150V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

  • VFT5200-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 5A 200V ITO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 5A,200V,TRENCH SKY RECT.

  • V30120SG-M3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A 120V Schottky TrenchMOS

Horúce časti