Vishay Siliconix - SIHB12N50C-E3

KEY Part #: K6393110

SIHB12N50C-E3 Ceny (USD) [30170ks skladom]

  • 1 pcs$1.36599
  • 1,000 pcs$1.28270

Číslo dielu:
SIHB12N50C-E3
Výrobca:
Vishay Siliconix
Detailný popis:
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - FETy, MOSFETy - Polia, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, prednastave, Tyristory - DIAC, SIDAC, Diódy - Zener - Single, Tyristory - SCR, Tranzistory - FET, MOSFETs - RF and Tranzistory - IGBTs - Single ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Vishay Siliconix SIHB12N50C-E3 electronic components. SIHB12N50C-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB12N50C-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB12N50C-E3 Atribúty produktu

Číslo dielu : SIHB12N50C-E3
Výrobca : Vishay Siliconix
popis : MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
séria : -
Stav časti : Active
Typ FET : N-Channel
technológie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 500V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 12A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 555 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 1375pF @ 25V
Funkcia FET : -
Zníženie výkonu (Max) : 208W (Tc)
Prevádzková teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Dodávateľský balík zariadení : D²PAK (TO-263)
Balík / Prípad : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB