Microsemi Corporation - JAN1N4979C

KEY Part #: K6479730

Rodinné kategórie:: KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - FET, MOSFETs - RF, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tyristory - SCR, Tranzistory - Bipolárne (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - špeciálny účel, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia and Tranzistory - IGBTs - Single ...

Konkurenčná výhoda:: We specialize in Microsemi Corporation JAN1N4979C electronic components. JAN1N4979C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N4979C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Číslo dielu : JAN1N4979C

Výrobca : Microsemi Corporation

popis : DIODE ZENER 75V 5W AXIAL

séria : Military, MIL-PRF-19500/356

Stav časti : Active

Napätie - Zener (Nom) (Vz) : 75V

tolerancia : ±2%

Výkon - Max : 5W

Impedancia (Max) (Zzt) : 55 Ohms

Prúd - reverzný únik @ Vr : 2µA @ 56V

Napätie - dopredu (Vf) (Max) @ Ak : 1.5V @ 1A

Prevádzková teplota : -65°C ~ 175°C

Typ montáže : Through Hole

Balík / Prípad : E, Axial

Dodávateľský balík zariadení : E, Axial

Môže vás tiež zaujímať

BAW156E6327HTSA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
MMBD1705A

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.
SMBD7000E6327HTSA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A
1SS181,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
BAV170E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array
BAV70E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA

Horúce časti