BAS21-HE3-18 Ceny (USD) [2706842ks skladom]
- 1 pcs$0.01366
- 10,000 pcs$0.01264
- Číslo dielu:
- BAS21-HE3-18
- Výrobca:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detailný popis:
- DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250 Volt 625mA 50ns
- Štandardná dodacia lehota výrobcu:
- Skladom
- Skladovateľnosť:
- Jeden rok
- Čip z:
- Hong Kong
- RoHS:
- Spôsob platby:
-
- Spôsob prepravy:
- Rodinné kategórie:
- KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - FET, MOSFETs - Single, Tranzistory - IGBTs - Single, Diódy - Usmerňovače - Polia, Diódy - Usmerňovače - Single, Diódy - Variabilita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - bipolárne (BJT) - RF, Diódy - usmerňovače and Diódy - Zenerove - polia ...
- Konkurenčná výhoda:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAS21-HE3-18 electronic components. BAS21-HE3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS21-HE3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS21-HE3-18 Atribúty produktu
Číslo dielu :
BAS21-HE3-18
Výrobca :
Vishay Semiconductor Diodes Division
popis :
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23
séria :
Automotive, AEC-Q101
Stav časti :
Active
Typ diódy :
Standard
Napätie - DC reverz (Vr) (Max) :
200V
Prúd - priemerný rektifikovaný (Io) :
200mA
Napätie - dopredu (Vf) (Max) @ Ak :
1.25V @ 200mA
rýchlosť :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Čas spätného obnovenia (trr) :
50ns
Prúd - reverzný únik @ Vr :
100nA @ 200V
Kapacita @ Vr, F :
5pF @ 0V, 1MHz
Typ montáže :
Surface Mount
Balík / Prípad :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodávateľský balík zariadení :
SOT-23
Prevádzková teplota - križovatka :
-55°C ~ 150°C
Najnovšie správy
Môže vás tiež zaujímať
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Horúce časti
- IDL10G65C5XUMA1
- IDK03G65C5XTMA1
- JANTXV1N1190R
- VS-150SQ030
- 1N6304R
- RGP10K-M3/54
- RK 14
- VS-80SQ030TR
- S4250TS
- CD1005-B0140R
- SUF15G-E3/54
- SS3P6-E3/85A
- CDBP0130R-G
- BY229B-400-E3/81
- FGP50D-E3/73
- S204100
- ES3A-E3/51T
- FFPF06UP20STU
- VS-90SQ035TR
- R2040
- 8ETH03
- 80EPS12
- 300HF40P
- S3G-13
- FR603-T
- HFA25PB60
- VS-95SQ015
- SF12M-TP
- CR3-060GPP BK
- APD245VRTR-G1
- MUR140-TP
- HER204-TP
- FR154-TP
- 1N4944-TP
- 1A4-AP
- GIB1404HE3/81
- CMR1U-02 BK
- RX 10ZV
- SE10PB-M3/85A
- SE07PD-M3/85A