Číslo dielu :
SCT2H12NZGC11
Výrobca :
Rohm Semiconductor
popis :
MOSFET N-CH 1700V 3.7A
technológie :
SiCFET (Silicon Carbide)
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) :
1700V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C :
3.7A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds On, Min Rds On) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 900µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 18V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds :
184pF @ 800V
Zníženie výkonu (Max) :
35W (Tc)
Prevádzková teplota :
175°C (TJ)
Typ montáže :
Through Hole
Dodávateľský balík zariadení :
TO-3PFM
Balík / Prípad :
TO-3PFM, SC-93-3