Microsemi Corporation - APTM100H35FTG

KEY Part #: K6522625

APTM100H35FTG Ceny (USD) [836ks skladom]

  • 1 pcs$55.82292
  • 100 pcs$55.54520

Číslo dielu:
APTM100H35FTG
Výrobca:
Microsemi Corporation
Detailný popis:
MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - Bipolárne (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - IGBTs - polia, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, prednastave, Diódy - usmerňovače, Tyristory - TRIAC, Tranzistory - FET, MOSFETs - Single, Tranzistory - bipolárne (BJT) - RF and Moduly ovládača napájania ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Microsemi Corporation APTM100H35FTG electronic components. APTM100H35FTG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM100H35FTG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM100H35FTG Atribúty produktu

Číslo dielu : APTM100H35FTG
Výrobca : Microsemi Corporation
popis : MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4
séria : -
Stav časti : Active
Typ FET : 4 N-Channel (H-Bridge)
Funkcia FET : Standard
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 1000V (1kV)
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 186nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 5200pF @ 25V
Výkon - Max : 390W
Prevádzková teplota : -40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Chassis Mount
Balík / Prípad : SP4
Dodávateľský balík zariadení : SP4