GeneSiC Semiconductor - GB20SLT12-247

KEY Part #: K6440911

Detailný popis:: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO247AC. Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky, 1200V

Rodinné kategórie:: KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tyristory - SCR, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, Tranzistory - bipolárne (BJT) - jednoduché, Diódy - Usmerňovače - Single, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - Bipolárne (BJT) - Single, Pre-Biated, Diódy - usmerňovače and Tranzistory - IGBT - Moduly ...

Konkurenčná výhoda:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GB20SLT12-247 electronic components. GB20SLT12-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GB20SLT12-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Číslo dielu : GB20SLT12-247

Výrobca : GeneSiC Semiconductor

popis : DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO247AC

séria : -

Stav časti : Not For New Designs

Typ diódy : Silicon Carbide Schottky

Napätie - DC reverz (Vr) (Max) : 1200V

Prúd - priemerný rektifikovaný (Io) : 20A

Napätie - dopredu (Vf) (Max) @ Ak : 2V @ 20A

rýchlosť : No Recovery Time > 500mA (Io)

Čas spätného obnovenia (trr) : 0ns

Prúd - reverzný únik @ Vr : 200µA @ 1200V

Kapacita @ Vr, F : 968pF @ 1V, 1MHz

Typ montáže : Through Hole

Balík / Prípad : TO-247-2

Dodávateľský balík zariadení : TO-247AC

Prevádzková teplota - križovatka : -55°C ~ 175°C

Môže vás tiež zaujímať

RURD420S9A_T

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 200V 4A TO252.
VS-20ETF10PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220FP.
UHB10FT-E3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB.
STTH8S06FP

STMicroelectronics

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP. Rectifiers ULT FAST HI VLT RECT TURBO 2
FR207TA

SMC Diode Solutions

DIODE GEN PURP 1KV 2A DO15.
BYV10X-600PQ

WeEn Semiconductors

DIODE GEN PURP 600V 10A TO220-2. Rectifiers Ultrafast Pwr Diode

Horúce časti