Infineon Technologies - BSC052N03LSATMA1

KEY Part #: K6416383

BSC052N03LSATMA1 Ceny (USD) [265165ks skladom]

  • 1 pcs$0.13949

Číslo dielu:
BSC052N03LSATMA1
Výrobca:
Infineon Technologies
Detailný popis:
MOSFET N-CH 30V 17A TDSON-8.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - IGBTs - polia, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, Tranzistory - bipolárne (BJT) - jednoduché, Tyristory - TRIAC, Tranzistory - FET, MOSFETs - RF, Tranzistory - IGBTs - Single, Tyristory - DIAC, SIDAC and Tranzistory - IGBT - Moduly ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Infineon Technologies BSC052N03LSATMA1 electronic components. BSC052N03LSATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC052N03LSATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC052N03LSATMA1 Atribúty produktu

Číslo dielu : BSC052N03LSATMA1
Výrobca : Infineon Technologies
popis : MOSFET N-CH 30V 17A TDSON-8
séria : OptiMOS™
Stav časti : Active
Typ FET : N-Channel
technológie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 30V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 17A (Ta), 57A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 770pF @ 15V
Funkcia FET : -
Zníženie výkonu (Max) : 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Prevádzková teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Dodávateľský balík zariadení : PG-TDSON-8
Balík / Prípad : 8-PowerTDFN