Výrobca :
GeneSiC Semiconductor
popis :
DIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWER
Konfigurácia diódy :
1 Pair Common Cathode
Napätie - DC reverz (Vr) (Max) :
400V
Prúd - priemerný rektifikovaný (Io) (na diódu) :
100A
Napätie - dopredu (Vf) (Max) @ Ak :
1.3V @ 100A
rýchlosť :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Čas spätného obnovenia (trr) :
-
Prúd - reverzný únik @ Vr :
25µA @ 400V
Prevádzková teplota - križovatka :
-55°C ~ 150°C
Typ montáže :
Chassis Mount
Balík / Prípad :
Three Tower
Dodávateľský balík zariadení :
Three Tower