BAV101-GS08 Ceny (USD) [2587754ks skladom]
- 1 pcs$0.01429
- 12,500 pcs$0.01080
- Číslo dielu:
- BAV101-GS08
- Výrobca:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detailný popis:
- DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1.0 Amp 120V 500mW
- Štandardná dodacia lehota výrobcu:
- Skladom
- Skladovateľnosť:
- Jeden rok
- Čip z:
- Hong Kong
- RoHS:
- Spôsob platby:
-
- Spôsob prepravy:
- Rodinné kategórie:
- KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, Diódy - Usmerňovače - Single, Diódy - Usmerňovače - Polia, Diódy - Zener - Single, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - IGBTs - Single and Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, prednastave ...
- Konkurenčná výhoda:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAV101-GS08 electronic components. BAV101-GS08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV101-GS08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAV101-GS08 Atribúty produktu
Číslo dielu :
BAV101-GS08
Výrobca :
Vishay Semiconductor Diodes Division
popis :
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80
séria :
Automotive, AEC-Q101
Stav časti :
Active
Typ diódy :
Standard
Napätie - DC reverz (Vr) (Max) :
100V
Prúd - priemerný rektifikovaný (Io) :
250mA (DC)
Napätie - dopredu (Vf) (Max) @ Ak :
1V @ 100mA
rýchlosť :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Čas spätného obnovenia (trr) :
50ns
Prúd - reverzný únik @ Vr :
100nA @ 100V
Kapacita @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
Typ montáže :
Surface Mount
Balík / Prípad :
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Dodávateľský balík zariadení :
SOD-80 MiniMELF
Prevádzková teplota - križovatka :
175°C (Max)
Najnovšie správy
Môže vás tiež zaujímať
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAS16WH6327XTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR
Horúce časti
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08