IXYS - IXTU1R4N60P

KEY Part #: K6408748

IXTU1R4N60P Ceny (USD) [521ks skladom]

  • 75 pcs$0.52798

Číslo dielu:
IXTU1R4N60P
Výrobca:
IXYS
Detailný popis:
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - IGBT - Moduly, Tyristory - SCR, Diódy - RF, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Polia, Diódy - Usmerňovače - Polia, Moduly ovládača napájania, Diódy - Zener - Single and Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in IXYS IXTU1R4N60P electronic components. IXTU1R4N60P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTU1R4N60P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTU1R4N60P Atribúty produktu

Číslo dielu : IXTU1R4N60P
Výrobca : IXYS
popis : MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251
séria : PolarHV™
Stav časti : Obsolete
Typ FET : N-Channel
technológie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 600V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 1.4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5.2nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 140pF @ 25V
Funkcia FET : -
Zníženie výkonu (Max) : 50W (Tc)
Prevádzková teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Through Hole
Dodávateľský balík zariadení : TO-251
Balík / Prípad : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA