Vishay Siliconix - SI7623DN-T1-GE3

KEY Part #: K6419554

SI7623DN-T1-GE3 Ceny (USD) [118801ks skladom]

  • 1 pcs$0.31134
  • 3,000 pcs$0.29235

Číslo dielu:
SI7623DN-T1-GE3
Výrobca:
Vishay Siliconix
Detailný popis:
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - IGBTs - polia, Tyristory - SCR, Tranzistory - špeciálny účel, Tranzistory - bipolárne (BJT) - RF, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, prednastave, Diódy - RF and Tyristory - TRIAC ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Vishay Siliconix SI7623DN-T1-GE3 electronic components. SI7623DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7623DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7623DN-T1-GE3 Atribúty produktu

Číslo dielu : SI7623DN-T1-GE3
Výrobca : Vishay Siliconix
popis : MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
séria : TrenchFET®
Stav časti : Active
Typ FET : P-Channel
technológie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 20V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 35A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vgs (Max) : ±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 5460pF @ 10V
Funkcia FET : -
Zníženie výkonu (Max) : 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Prevádzková teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Dodávateľský balík zariadení : PowerPAK® 1212-8
Balík / Prípad : PowerPAK® 1212-8

Môže vás tiež zaujímať