Vishay Siliconix - SI5922DU-T1-GE3

KEY Part #: K6523103

SI5922DU-T1-GE3 Ceny (USD) [466812ks skladom]

  • 1 pcs$0.07963
  • 3,000 pcs$0.07923

Číslo dielu:
SI5922DU-T1-GE3
Výrobca:
Vishay Siliconix
Detailný popis:
MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Diódy - Variabilita (Varicaps, Varactors), Diódy - Usmerňovače - Polia, Diódy - RF, Tranzistory - IGBTs - polia, Tranzistory - bipolárne (BJT) - jednoduché, Tranzistory - FET, MOSFETs - Single, Tyristory - SCR - Moduly and Tyristory - DIAC, SIDAC ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Vishay Siliconix SI5922DU-T1-GE3 electronic components. SI5922DU-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5922DU-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI5922DU-T1-GE3 Atribúty produktu

Číslo dielu : SI5922DU-T1-GE3
Výrobca : Vishay Siliconix
popis : MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK
séria : TrenchFET®
Stav časti : Active
Typ FET : 2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET : Standard
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 30V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19.2 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.1nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 765pF @ 15V
Výkon - Max : 10.4W
Prevádzková teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík / Prípad : PowerPAK® ChipFET™ Dual
Dodávateľský balík zariadení : PowerPAK® ChipFet Dual

Môže vás tiež zaujímať
  • DMC25D0UVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • IRF7501TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8.

  • SI7949DP-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8.