popis :
DUAL 2AMP ULTRAFAST MOSFET 8SOIC
Riadená konfigurácia :
Low-Side
Typ brány :
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Napätie - napájanie :
4.5V ~ 35V
Logické napätie - VIL, VIH :
0.8V, 3V
Current - Peak Output (Zdroj, Sink) :
2A, 2A
Typ vstupu :
Inverting, Non-Inverting
Vysoké napätie na strane - Max (Bootstrap) :
-
Doba vzostupu / pádu (Typ) :
8ns, 8ns
Prevádzková teplota :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže :
Surface Mount
Balík / Prípad :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodávateľský balík zariadení :
8-SOIC