Vishay Siliconix - SI7619DN-T1-GE3

KEY Part #: K6419564

SI7619DN-T1-GE3 Ceny (USD) [262736ks skladom]

  • 1 pcs$0.14078
  • 3,000 pcs$0.13247

Číslo dielu:
SI7619DN-T1-GE3
Výrobca:
Vishay Siliconix
Detailný popis:
MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Diódy - RF, Diódy - Zenerove - polia, Tyristory - TRIAC, Tranzistory - bipolárne (BJT) - RF, Tranzistory - Bipolárne (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - IGBTs - polia, Tranzistory - IGBTs - Single and Tranzistory - JFET ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Vishay Siliconix SI7619DN-T1-GE3 electronic components. SI7619DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7619DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7619DN-T1-GE3 Atribúty produktu

Číslo dielu : SI7619DN-T1-GE3
Výrobca : Vishay Siliconix
popis : MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK
séria : TrenchFET®
Stav časti : Active
Typ FET : P-Channel
technológie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 30V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 24A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 1350pF @ 15V
Funkcia FET : -
Zníženie výkonu (Max) : 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Prevádzková teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Dodávateľský balík zariadení : PowerPAK® 1212-8
Balík / Prípad : PowerPAK® 1212-8

Môže vás tiež zaujímať