Ak vaša poloha nie je na zozname, vyberte jednu z nasledujúcich možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ak vaša poloha nie je na zozname, vyberte jednu z nasledujúcich možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domov
  2. Produkty
  3. Diskrétne polovodičové produkty
  4. Tranzistory - FET, MOSFETs - Single
  5. APTM120DA30T1G

Microsemi Corporation - APTM120DA30T1G

KEY Part #: K6396577

APTM120DA30T1G Ceny (USD) [2343ks skladom]

  • 1 pcs$18.48678
  • 100 pcs$18.26704
Číslo dielu:
APTM120DA30T1G
Výrobca:
Microsemi Corporation
Detailný popis:
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - Bipolárne (BJT) - Single, Pre-Biated, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, Tranzistory - FET, MOSFETs - Single, Diódy - RF, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, prednastave, Diódy - Zenerove - polia and Tranzistory - FETy, MOSFETy - Polia ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Microsemi Corporation APTM120DA30T1G electronic components. APTM120DA30T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM120DA30T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM120DA30T1G Atribúty produktu

Číslo dielu : APTM120DA30T1G
Výrobca : Microsemi Corporation
popis : MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
séria : -
Stav časti : Active
Typ FET : N-Channel
technológie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 1200V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 31A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 560nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 14560pF @ 25V
Funkcia FET : -
Zníženie výkonu (Max) : 657W (Tc)
Prevádzková teplota : -40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Chassis Mount
Dodávateľský balík zariadení : SP1
Balík / Prípad : SP1

Najnovšie správy

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Môže vás tiež zaujímať
  • ZVN3306ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • FDD9409-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252.

  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • FDD86540

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3.

  • TK40A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS.

  • FDN302P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.

Horúce časti