Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N6482HE3/96

KEY Part #: K6457745

1N6482HE3/96 Ceny (USD) [665064ks skladom]

  • 1 pcs$0.05562
  • 6,000 pcs$0.05085

Číslo dielu:
1N6482HE3/96
Výrobca:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detailný popis:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - IGBTs - Single, Diódy - RF, Tranzistory - programovateľné Unijunction, Tranzistory - FET, MOSFETs - Single, Tranzistory - IGBTs - polia, Diódy - Variabilita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - bipolárne (BJT) - jednoduché and Moduly ovládača napájania ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N6482HE3/96 electronic components. 1N6482HE3/96 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6482HE3/96, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N6482HE3/96 Atribúty produktu

Číslo dielu : 1N6482HE3/96
Výrobca : Vishay Semiconductor Diodes Division
popis : DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
séria : SUPERECTIFIER®
Stav časti : Active
Typ diódy : Standard
Napätie - DC reverz (Vr) (Max) : 600V
Prúd - priemerný rektifikovaný (Io) : 1A
Napätie - dopredu (Vf) (Max) @ Ak : 1.1V @ 1A
rýchlosť : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Čas spätného obnovenia (trr) : -
Prúd - reverzný únik @ Vr : 10µA @ 600V
Kapacita @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Typ montáže : Surface Mount
Balík / Prípad : DO-213AB, MELF (Glass)
Dodávateľský balík zariadení : DO-213AB
Prevádzková teplota - križovatka : -65°C ~ 175°C

Môže vás tiež zaujímať
  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • GL34BHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34AHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34DHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34JHE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34GHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM