Infineon Technologies - IPB055N03LGATMA1

KEY Part #: K6419820

IPB055N03LGATMA1 Ceny (USD) [135208ks skladom]

  • 1 pcs$0.27356
  • 1,000 pcs$0.19166

Číslo dielu:
IPB055N03LGATMA1
Výrobca:
Infineon Technologies
Detailný popis:
MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - špeciálny účel, Tranzistory - FET, MOSFETs - RF, Tranzistory - Bipolárne (BJT) - Single, Pre-Biated, Diódy - Usmerňovače - Polia, Tranzistory - JFET, Tranzistory - IGBTs - Single, Tyristory - SCR - Moduly and Diódy - Zener - Single ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Infineon Technologies IPB055N03LGATMA1 electronic components. IPB055N03LGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB055N03LGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB055N03LGATMA1 Atribúty produktu

Číslo dielu : IPB055N03LGATMA1
Výrobca : Infineon Technologies
popis : MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
séria : OptiMOS™
Stav časti : Active
Typ FET : N-Channel
technológie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 30V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 3200pF @ 15V
Funkcia FET : -
Zníženie výkonu (Max) : 68W (Tc)
Prevádzková teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Dodávateľský balík zariadení : D²PAK (TO-263AB)
Balík / Prípad : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Môže vás tiež zaujímať