Vishay Siliconix - SI8457DB-T1-E1

KEY Part #: K6404926

SI8457DB-T1-E1 Ceny (USD) [418702ks skladom]

  • 1 pcs$0.08878
  • 3,000 pcs$0.08834

Číslo dielu:
SI8457DB-T1-E1
Výrobca:
Vishay Siliconix
Detailný popis:
MOSFET P-CH 12V MICROFOOT.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Moduly ovládača napájania, Diódy - Usmerňovače - Single, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, prednastave, Diódy - Usmerňovače - Polia, Tranzistory - Bipolárne (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Polia, Tranzistory - IGBT - Moduly and Diódy - RF ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Vishay Siliconix SI8457DB-T1-E1 electronic components. SI8457DB-T1-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8457DB-T1-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8457DB-T1-E1 Atribúty produktu

Číslo dielu : SI8457DB-T1-E1
Výrobca : Vishay Siliconix
popis : MOSFET P-CH 12V MICROFOOT
séria : TrenchFET®
Stav časti : Active
Typ FET : P-Channel
technológie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 12V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : -
Napätie pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 93nC @ 8V
Vgs (Max) : ±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 2900pF @ 6V
Funkcia FET : -
Zníženie výkonu (Max) : 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Prevádzková teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Dodávateľský balík zariadení : 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Balík / Prípad : 4-UFBGA

Môže vás tiež zaujímať