Výrobca :
Taiwan Semiconductor Corporation
popis :
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
Napätie - DC reverz (Vr) (Max) :
600V
Prúd - priemerný rektifikovaný (Io) :
1A
Napätie - dopredu (Vf) (Max) @ Ak :
1.5V @ 1A
rýchlosť :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Čas spätného obnovenia (trr) :
25ns
Prúd - reverzný únik @ Vr :
1µA @ 600V
Kapacita @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Typ montáže :
Surface Mount
Balík / Prípad :
SOD-123W
Dodávateľský balík zariadení :
SOD123W
Prevádzková teplota - križovatka :
-55°C ~ 150°C