Číslo dielu :
C2M0025120D
popis :
MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247
technológie :
SiCFET (Silicon Carbide)
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) :
1200V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C :
90A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds On, Min Rds On) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
34 mOhm @ 50A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
161nC @ 20V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds :
2788pF @ 1000V
Zníženie výkonu (Max) :
463W (Tc)
Prevádzková teplota :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže :
Through Hole
Dodávateľský balík zariadení :
TO-247-3
Balík / Prípad :
TO-247-3