Číslo dielu :
RN1106MFV(TL3,T)
Výrobca :
Toshiba Semiconductor and Storage
popis :
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
Typ tranzistora :
NPN - Pre-Biased
Prúd - kolektor (Ic) (Max) :
100mA
Napätie - Rozdelenie vysielača kolektora (Max) :
50V
Rezistor - základňa (R1) \ t :
4.7 kOhms
Rezistor - Emitter Base (R2) :
47 kOhms
Zisk prúdu DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 5mA
Prúd - Odpojenie kolektora (Max) :
500nA
Typ montáže :
Surface Mount
Dodávateľský balík zariadení :
VESM