Microsemi Corporation - APTM20DAM08TG

KEY Part #: K6396591

APTM20DAM08TG Ceny (USD) [1380ks skladom]

  • 1 pcs$31.54286
  • 100 pcs$31.38593

Číslo dielu:
APTM20DAM08TG
Výrobca:
Microsemi Corporation
Detailný popis:
MOSFET N-CH 200V 208A SP4.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - FETy, MOSFETy - Polia, Tyristory - SCR, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, prednastave, Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - bipolárne (BJT) - jednoduché, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, Tranzistory - FET, MOSFETs - RF and Moduly ovládača napájania ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Microsemi Corporation APTM20DAM08TG electronic components. APTM20DAM08TG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM20DAM08TG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM20DAM08TG Atribúty produktu

Číslo dielu : APTM20DAM08TG
Výrobca : Microsemi Corporation
popis : MOSFET N-CH 200V 208A SP4
séria : -
Stav časti : Active
Typ FET : N-Channel
technológie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 200V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 208A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 104A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 280nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 14400pF @ 25V
Funkcia FET : -
Zníženie výkonu (Max) : 781W (Tc)
Prevádzková teplota : -40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Chassis Mount
Dodávateľský balík zariadení : SP4
Balík / Prípad : SP4