Vishay Siliconix - SIHG28N65EF-GE3

KEY Part #: K6416797

SIHG28N65EF-GE3 Ceny (USD) [19485ks skladom]

  • 1 pcs$3.38458
  • 10 pcs$3.02012
  • 100 pcs$2.47651
  • 500 pcs$2.00536
  • 1,000 pcs$1.69127

Číslo dielu:
SIHG28N65EF-GE3
Výrobca:
Vishay Siliconix
Detailný popis:
MOSFET N-CH 650V 28A TO-247AC.
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - FET, MOSFETs - Single, Tranzistory - bipolárne (BJT) - RF, Diódy - Variabilita (Varicaps, Varactors), Diódy - RF, Diódy - usmerňovače, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia and Tranzistory - IGBTs - polia ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Vishay Siliconix SIHG28N65EF-GE3 electronic components. SIHG28N65EF-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHG28N65EF-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHG28N65EF-GE3 Atribúty produktu

Číslo dielu : SIHG28N65EF-GE3
Výrobca : Vishay Siliconix
popis : MOSFET N-CH 650V 28A TO-247AC
séria : -
Stav časti : Active
Typ FET : N-Channel
technológie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 650V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 28A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 117 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 146nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 3249pF @ 100V
Funkcia FET : -
Zníženie výkonu (Max) : 250W (Tc)
Prevádzková teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Through Hole
Dodávateľský balík zariadení : TO-247AC
Balík / Prípad : TO-247-3