Číslo dielu :
SIR108DP-T1-RE3
Výrobca :
Vishay Siliconix
popis :
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
séria :
TrenchFET® Gen IV
technológie :
MOSFET (Metal Oxide)
Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) :
100V
Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C :
12.4A (Ta), 45A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds On, Min Rds On) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
41.5nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds :
2060pF @ 50V
Zníženie výkonu (Max) :
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Prevádzková teplota :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže :
Surface Mount
Dodávateľský balík zariadení :
PowerPAK® SO-8
Balík / Prípad :
PowerPAK® SO-8