Vishay Siliconix - SI1021R-T1-E3

KEY Part #: K6408722

[529ks skladom]


    Číslo dielu:
    SI1021R-T1-E3
    Výrobca:
    Vishay Siliconix
    Detailný popis:
    MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A.
    Štandardná dodacia lehota výrobcu:
    Skladom
    Skladovateľnosť:
    Jeden rok
    Čip z:
    Hong Kong
    RoHS:
    Spôsob platby:
    Spôsob prepravy:
    Rodinné kategórie:
    KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - JFET, Diódy - Zener - Single, Diódy - Usmerňovače - Polia, Tranzistory - IGBTs - polia, Diódy - Usmerňovače - Single, Diódy - RF, Tranzistory - bipolárne (BJT) - RF and Tranzistory - FET, MOSFETs - Single ...
    Konkurenčná výhoda:
    We specialize in Vishay Siliconix SI1021R-T1-E3 electronic components. SI1021R-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1021R-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI1021R-T1-E3 Atribúty produktu

    Číslo dielu : SI1021R-T1-E3
    Výrobca : Vishay Siliconix
    popis : MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A
    séria : TrenchFET®
    Stav časti : Obsolete
    Typ FET : P-Channel
    technológie : MOSFET (Metal Oxide)
    Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 60V
    Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 190mA (Ta)
    Napätie pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 500mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 1.7nC @ 15V
    Vgs (Max) : ±20V
    Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 23pF @ 25V
    Funkcia FET : -
    Zníženie výkonu (Max) : 250mW (Ta)
    Prevádzková teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Surface Mount
    Dodávateľský balík zariadení : SC-75A
    Balík / Prípad : SC-75A