ON Semiconductor - SSR1N60BTM

KEY Part #: K6413044

[13235ks skladom]


    Číslo dielu:
    SSR1N60BTM
    Výrobca:
    ON Semiconductor
    Detailný popis:
    MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK.
    Štandardná dodacia lehota výrobcu:
    Skladom
    Skladovateľnosť:
    Jeden rok
    Čip z:
    Hong Kong
    RoHS:
    Spôsob platby:
    Spôsob prepravy:
    Rodinné kategórie:
    KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - JFET, Tranzistory - programovateľné Unijunction, Tranzistory - IGBTs - Single, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Polia, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, prednastave and Tranzistory - bipolárne (BJT) - RF ...
    Konkurenčná výhoda:
    We specialize in ON Semiconductor SSR1N60BTM electronic components. SSR1N60BTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSR1N60BTM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SSR1N60BTM Atribúty produktu

    Číslo dielu : SSR1N60BTM
    Výrobca : ON Semiconductor
    popis : MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
    séria : -
    Stav časti : Obsolete
    Typ FET : N-Channel
    technológie : MOSFET (Metal Oxide)
    Vypúšťanie na zdrojové napätie (Vdss) : 600V
    Prúd - kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C : 900mA (Tc)
    Napätie pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 Ohm @ 450mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.7nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 215pF @ 25V
    Funkcia FET : -
    Zníženie výkonu (Max) : 2.5W (Ta), 28W (Tc)
    Prevádzková teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Surface Mount
    Dodávateľský balík zariadení : D-Pak
    Balík / Prípad : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63