Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N6481HE3/97

KEY Part #: K6457831

1N6481HE3/97 Ceny (USD) [704650ks skladom]

  • 1 pcs$0.05249
  • 10,000 pcs$0.04757

Číslo dielu:
1N6481HE3/97
Výrobca:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detailný popis:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
Štandardná dodacia lehota výrobcu:
Skladom
Skladovateľnosť:
Jeden rok
Čip z:
Hong Kong
RoHS:
Spôsob platby:
Spôsob prepravy:
Rodinné kategórie:
KEY Components Co, LTD je distribútor elektronických komponentov, ktorý ponúka kategórie výrobkov vrátane: Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, Diódy - Zenerove - polia, Diódy - usmerňovače, Tranzistory - IGBTs - polia, Tranzistory - FET, MOSFETs - Single, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - bipolárne (BJT) - polia, prednastave and Tranzistory - bipolárne (BJT) - RF ...
Konkurenčná výhoda:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N6481HE3/97 electronic components. 1N6481HE3/97 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6481HE3/97, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N6481HE3/97 Atribúty produktu

Číslo dielu : 1N6481HE3/97
Výrobca : Vishay Semiconductor Diodes Division
popis : DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
séria : SUPERECTIFIER®
Stav časti : Active
Typ diódy : Standard
Napätie - DC reverz (Vr) (Max) : 400V
Prúd - priemerný rektifikovaný (Io) : 1A
Napätie - dopredu (Vf) (Max) @ Ak : 1.1V @ 1A
rýchlosť : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Čas spätného obnovenia (trr) : -
Prúd - reverzný únik @ Vr : 10µA @ 400V
Kapacita @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Typ montáže : Surface Mount
Balík / Prípad : DO-213AB, MELF (Glass)
Dodávateľský balík zariadení : DO-213AB
Prevádzková teplota - križovatka : -65°C ~ 175°C

Môže vás tiež zaujímať
  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • RGL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-300-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • BYM07-50-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34C-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns

  • EGL34F-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns